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High Current
Power MOSFET
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Data Sheet
IXTQ 40N50Q
V DSS = 500 V
I D25 = 40 A
R DS(on) = 0.16 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
40
160
A
A
G
D
S
(TAB)
I AR
T C = 25 ° C
40
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
50
2.0
5
500
-55 to +150
150
-55 to +150
300
mJ
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Rated for unclamped Inductive load
Weight
6
g
switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Advantages
Easy to mount
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
500
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.5
± 100
25
1
V
V
nA
μ A
mA
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.16
?
? 2004 IXYS All rights reserved
DS99056A(08/04)
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